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            双离子束溅射镀膜机

            scia Coat 200

            scia Coat 200双离子束溅射镀膜机,具有极好的均匀性,适用于直径Φ200 mm基底的镀膜。用离子束溅射镀膜代替其他镀膜工艺,可以获得光滑无缺陷的薄膜。在线膜厚光学监控确保了良好的工艺稳定性。此外,该系统能够适用包括晶圆在内的任意形状的基板。

            常规属性

            - 主离子源用于溅射靶材到样品基底上,沉积成膜;次离子源用于样品表面离子束轰击清洗或辅助镀膜。

            - 可沉积介质和金属膜

            - 具有在线基底预处理 (刻蚀、清洗、平滑化)功能

            - 通过基板旋转和倾斜,可以获得极好的沉积均匀性 

            - 转鼓靶架上最多可有5个水冷靶材料,用于在线更换

            - 使用石英晶振和/或光学厚度监视器(OTM),菜单式控制多层膜沉积

            - 适应不同的基底尺寸

            - 可选配备Φ350 mm离子束源作为辅助源,也可用于离子束蚀刻工艺

            - 应用于磁传感器多层膜(GMR、TMR、自旋电子)

            - 应用于高激光损伤阈值薄膜的沉积


            性能参数

            scia Coat 200

            样品基底尺寸(最大)           

            Φ200mm

            样品台与样品夹具

            水冷,氦背板冷却,样品转速5-20 rpm, 可在线旋转0° to 160° 步进 0.1°
            射频离子源

            Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e)

            Assist source: 120 mm circular RF source (RF120-e) or

            350 mm circular RF source (RF350-e) or

            218 mm circular microwave ECR source (MW218-e)

            辅助离子源

            Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e)

            或 Φ 350 mm 圆形RF源 (RF350-e)

            或 Φ 218 mm 圆形微波ECR源 (MW218-e)

            中和器

            热灯丝 (N-DC) 

            或射频 (N-RF) 等离子体桥中和器

            靶材转鼓

            最多可装载5种靶材(每种最大Φ220 mm),或4种靶材(每种最大Φ300 mm),靶材水冷,可调倾斜。       

            典型沉积速率

            Ag: 35 nm/min

            Al: 10 nm/min

            Si: 15 nm/min

            Ti: 8 nm/min

            Al2O3: 15 nm/min

            Ta2O5: 15 nm/min

            TiO2: 6 nm/min

            SiO2: 20 nm/min

            均匀性变化

            ≤ 0.5 % (σ/mean)

            基础真空

            < 5 x 10-7 mbar

            系统尺寸 (W x D x H)

            3.10 m x 1.70 m x 2.40 m (单工作仓,带盒装载,不含电柜与真空泵)

            基本配置

            单工作仓,带单样品loadlock

            软件界面

            SECS II / GEM, OPC



            可选配置

            - 单工作仓可选盒式载具

            - 可选组合式系统带盒式载具

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