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            scia Trim 200

            scia Trim 200用于晶圆或光学元件的高精度表面离子束修整或抛光,而不受薄膜和材料的限制。该系统专为批量生产而设计,具有满足产能和维护的优化布局,可以配有能容纳标准晶圆尺寸的半导体载具机器手。此外,组合布局可选2个工作仓和2个载具loadlock以提高产能。

            常规属性

            - 采用聚焦离子束轰击样品表面,通过控制离子束焦斑在局部区域的驻留时间,来实现表面材料的定量去除,从而实现抛光或表面修整。

            - 显著提升产能

            - 薄膜的厚度均匀性可以修正到原子水平,至0.1nm

            - 消除了边缘效应

            - 具有ZBE功能,可进行亚纳米级去除

            - 对样品材料没有限制

            - 产能与维护在设计时就进行了优化,以最大程度降低生产成本

            - 可以加工带有光刻胶的晶圆,具有良好的样品冷却配置

            * ZBE:zero base etching

            系统性能

            scia Trim 200

            样品尺寸

            ф200mm 

            样品台

            氦冷却背板对于晶圆为标准静电夹具而无边缘遮拦

            轴向直线运动特性          

            最大线速度0.5m/s, 最大线加速度15m/S2 

            离子源

            ★ 37mm 圆形射频源RF37-i,束腰7--15mm (FWHM)

            ★ 80mm 圆形射频源RF80-i,束腰12-- 20mm (FWHM)        

            中和器

            热灯丝中和器N-Fil 或 射频等离子桥中和器N-RF
            参考去除率

            SiO2: 6 x 10-3mm3/s (RF37-i)

            11 x 10-3 mm3/s (RF80-i)

            加工后表面精度

            < 0.5nm rms (薄膜修整厚度不均匀性,与初始状态有关)               

            参考产能

            15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer)

            基础真空度

            1x10-6 mbar

            软件界面

            SECS II / GEM, OPC

            标准配置

            1个工作仓


            配置选项

            - 选配单样品loadlock或晶圆载具

            - 可选组合布局为2个工作仓和晶圆载具

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