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            化学气相沉积与反应离子刻蚀系统 PECVD/RIE

            scia Cube 300

            scia Cube 300用于样品尺寸为 300 mm x 200 mm 的大面积镀膜和刻蚀。

            设备原理

            通过微波激励反应气体,产生等离子体。通过射频偏压,增强离子轰击能量。

            PECVD的过程,为使用等离子体辅助反应,将气体原子沉积在基板表面形成薄膜。

            RIE的过程,使用反应气体和离子轰击,对基板表面进行物理与化学的刻蚀。


            该系统专为大面积高密度等离子体工艺过程而设计,可在较宽范围内调节沉积参数,实现高速率气相沉积镀膜。此外,也可以使用氧气或卤素化学气体进行高各向异性蚀刻,并优化刻蚀工艺的选择比。

            特点与应用

            - 通过同步线性微波源阵列,实现大面积等离子体工艺过程

            - 在样品支架上配置独立的射频偏压,对样品实现高能轰击

            - 样品冷却(-10°C)或加热(850°C)

            - 可进行原位腔室清洗处理

            - PECVD工艺

              介质膜的沉积, 例如封装、阻挡涂层、电绝缘(SiO2、Si3N4等)

              光学和耐磨涂层(a-C:H,DLC)

              纳米金刚石和碳纳米管的生长

            - RIE工艺

              金属(镍、铬、铂等)的反应蚀刻和微结构图形制备

              光学材料(石英、熔融石英)中光栅和其他结构的蚀刻

              光刻胶灰化



            样品尺寸
            300 mm x 200 mm
            样品支架水冷,RF偏压
            样品温度可以冷却至 -10 °C 或加热至 850 °C
            等离子体源2个线性微波源 (PL400) 和/或RF平行平板布置, 13.56 MHz               
            典型沉积速率金刚石: 30 … 70 nm/h, DLC: 7.5 nm/min
            电源
            微波源: max. 9 kW, 射频源: max. 0.6 kW
            基础真空< 1 x 10-6 mbar
            系统尺寸(WxDxH)          1.30 m x 1.90 m x 1.50 m (不含电控柜与泵)
            配置单真空室, 可选单样品装载机构load lock


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